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美国Graphene supermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜

美国Graphenesupermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜石墨烯/H-BN薄膜的性能：

单层H-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285纳米（p掺杂）SiO2/Si晶片上

尺寸：1cmx1cm；8包

每层膜的厚度和质量由拉曼光谱控制。

该产品的覆盖率约为98%

薄膜是连续的，带有小孔和有机残留物。

高结晶质量

石墨烯薄膜为牙前单层（95%以上），偶尔有小的多层岛（5%以下为双层）。

片电阻：430-800Ω/平方

以下所示的每张胶片的转移

在铜箔上通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜和H-BN薄膜，然后转移到SiO2/Si晶片上。

欲了解转移前薄膜的特性，请参阅我们的相关产品：铜箔上的石墨烯和铜箔上的H-BN。

硅/二氧化硅晶片的特性：

氧化物厚度：285纳米

氧化物厚度：285纳米

颜色：紫色

晶片厚度：525微米

电阻率：0.001-0.005ohm-cm

类型/掺杂剂：P/硼

方向：<100>

前表面：抛光

背面：蚀刻

美国Graphenesupermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜应用:

石墨烯/HBN界面用于需要选通石墨烯的地方，以提高迁移率和减少散射。

H-BN作为石墨烯基电子器件的基底具有吸引力，因为其表面原子级光滑，没有悬垂键，并且具有与石墨烯类似的结构。

将我们的H-BN与石墨烯结合使用在SiO2/Si晶片上，将鼓励您探索晶体管应用的石墨烯异质结构。