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北京杰创宏达电子有限公司
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产品信息
NanoIntegris纳米线
NanoIntegris纳米线实验上，用isosol-s100材料在sio2/si衬底上制备了薄膜晶体管，平均迁移率超过27cm~2/（vs），开关比为1.8×106。这些特性使这种材料非常适合喷墨和气溶胶喷墨打印。南加州大学的海天陈说：“我们的研究小组已经能够从基于纳米集成99.9%半导体碳纳米管（CNT）溶液（ISOSOL-S100）的薄膜晶体管（TFT）获得优异的电性能，更具体地说是25cm2v-1s-1的迁移率和4x10^6的电流开/关比。它是基于CNT的宏电子学和柔性宏电子学发展的杰出材料。“。”
NanoIntegris纳米线紫外-可见-近红外分光光度法测定纯度2表明，该材料的半导体纯度大于或等于99.9%，ITKIS比值3和Phi值4分别大于0.5和0.4。
NanoIntegris纳米线用于提取技术的高石墨化起始材料和低超声强度可将对纳米管的损伤降至，使材料具有高结晶度和1-2μm的较长平均长度，这是以前使用DGU5或色谱分离方法时所没有的。
NanoIntegris纳米线此外，该材料在有机溶剂中处理，聚合物与纳米管的比率可调整为小于四倍（在我们的表面活性剂水溶液中，表面活性剂与纳米管的比率为1×103）。这些解决方案也显示出超过6个月的稳定性。这些特性促进了纳米管的沉积和对器件的附着力。
